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元件参数资料
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参数目录39828
> NTD4970N-1G MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
型号:
NTD4970N-1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 38A IPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTD4970N-1G PDF
标准包装
75
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
774pF @ 15V
功率 - 最大
1.38W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
查看NTD4970N-1G代理商
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